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原磊納米自主研發(fā)的低溫選擇性外延平臺，在制造、能耗和生產(chǎn)效率上取得一些列突破性創(chuàng)新成果，并成為全球第三種加熱燈管設(shè)計的外延設(shè)備。該設(shè)備可用于8/12英寸邏輯、存儲和外延片等硅基同質(zhì)、異質(zhì)外延生長。設(shè)備的預(yù)真空腔采用雙層設(shè)計，兼顧進(jìn)樣和冷卻；工藝腔體配置公司自主研發(fā)的前處理系統(tǒng)，可實現(xiàn)更低襯底傷害下的高質(zhì)量表面處理；傳輸系統(tǒng)在對晶圓抓取、擺放、升降和溫控等進(jìn)行創(chuàng)新優(yōu)化后，可實現(xiàn)鍺硅和硅外延工藝產(chǎn)能的大幅提升。該平臺總共可配置2個前處理和4個EPI工藝腔體，能完全滿足主流晶圓廠產(chǎn)能需求。

Advanced ClusterM3/M9 PE/TH ALD系列是我司的團簇式 ALD 設(shè)備。該系列搭載獨立控制的真空傳輸、標(biāo)準(zhǔn) ALD 反應(yīng)腔、進(jìn)/取樣腔和冷卻腔可實現(xiàn)多功能材料和器件制備；同時通過熱法和等離子體增強腔體的相互配合可以實現(xiàn)真空環(huán)境下完整器件的前處理、制備和后處理工藝。該系列適用于 28 / 14 nm 制程的 IC 邏輯芯片，3D NAND 及特殊記憶體。

原磊納米自主開發(fā)的團簇式ALD設(shè)備，應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域量產(chǎn)客戶。集成8~10個工藝腔體自主研發(fā)的VTM傳輸系統(tǒng)，配置2個冷卻站，分別同時冷卻5片晶圓配置2 loadlocks(25pcs/loadlock),自帶內(nèi)部自清潔功能，保障晶圓潔凈工藝腔體本底壓力低，極大控制氮化物膜層的氧含量獨特工藝腔體設(shè)計，保證良好的溫度場和流場特有等離子體處理技術(shù)，可有效減少高能離子對局部膜層的損傷維護(hù)便利，自帶起重系統(tǒng)，極大減少系統(tǒng)組裝、檢修、維護(hù)時間。

GRACE-MX 是南京原磊納米材料有限公司自主研發(fā)的第一代多層平板式原子層薄膜沉積（ALD）系統(tǒng)。采用獨特的模塊設(shè)計，通過對腔體和前驅(qū)源進(jìn)氣系統(tǒng)的優(yōu)化，實現(xiàn)了超高的工藝穩(wěn)定性，并支持全方位的工藝開發(fā)，包括在微機電系統(tǒng)、光學(xué)、TGV、光伏等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用，且所開發(fā)的材料覆蓋眾多氧化物（例如SiO2/SnO2/HfO2/Al2O3等），可容納樣品尺寸最大300mm*300mm，針對不同領(lǐng)域的研發(fā)，最大可容納樣品尺寸及層數(shù)可根據(jù)客戶需求量身定制。

原磊納米自主設(shè)計的第一代量產(chǎn)型設(shè)備，符合SEMI S2、 S6和S8標(biāo)準(zhǔn)。采用自主研發(fā)的雙腔室設(shè)計，保證較高的前驅(qū)體利用率；同時使用擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的進(jìn)氣和加熱萬式，保證成膜的高均勻性。設(shè)備使用獨特的腔體結(jié)構(gòu)，避免了不同工藝間的交叉污染，更加方便維護(hù)。該系列設(shè)備可一次沉積300片4寸晶圓，大大提高了產(chǎn)能并降低了生產(chǎn)和設(shè)備成本。進(jìn)取樣采用可拆分載臭，兼容標(biāo)準(zhǔn)晶圓盒，配置定制化傳片，可兼容6、8寸樣晶，大大簡化了人工操作，且未來升級大尺寸晶圓萬便。該產(chǎn)目可滿足光電顯示以及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域大批量生產(chǎn)需求，是目前全球性價比最高的工業(yè)機臺。

Batch 25系列是我司自主研發(fā)的多片式 ALD 系統(tǒng)。采用獨特的腔體結(jié)構(gòu)及進(jìn)氣方式，有效降低生產(chǎn)成本和提高產(chǎn)能，保證優(yōu)質(zhì)的薄膜性能；可一次性沉積25片8寸晶圓，滿足中試線以上的量產(chǎn)規(guī)模需求，適用于先進(jìn)封裝、光伏等多個領(lǐng)域。