技術概況
ALD技術簡介
原子層沉積技術，原子層沉積(ALD)是基于氣相化學過程的連續(xù)使用的薄膜沉積技術：它是化學蒸汽沉積的子類。大多數ALD反應使用兩種稱為前體的化學物質(也稱為"反應劑")。這些前體以順序、自我限制的方式與材料表面同時發(fā)生反應。典型的針對目前市場的需求，原磊納米材料有限公司提供全面且成熟的ALD設備為各大企業(yè)的發(fā)展與建設提供了必要的基礎。ALD是一種氣相沉積技術，最初被用來制備納米級別的絕緣材質(Al2O3)和薄膜的電致發(fā)光顯示器(TFEL)材料硫化鋅。由于ALD擁有在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜的優(yōu)點，在工業(yè)化生產的過程中具有至關重要的地位。
ALD工藝和薄膜特性
極佳的附著力
前驅體與基底材料的化學吸附保證了極佳的附著力。
飽和吸附特性
表面反應的自限制性使工藝的自動化成為可能，同時不需要精確 的劑量控制和操作人員的持續(xù)介入。
有序反應
薄膜的數字化的有序生長過程提供了在沒有原位反饋或是操作人員的干預的條件下極高的薄膜精度。
表面控制反應
表面反應確保了在任何條件下薄膜的高保型，不管基底材料是致密的、多孔的、管狀的、粉末狀的或是其它具有復雜形狀的物體。
ALD 的薄膜材料
可用原子層沉積的最常用的材料包括(選擇)：
氧化物：Al2O3, HfO2, SiO2, CaO, CuO, Er2O3, Ga2O3, La2O3, MgO, Nb2O5, Sc2O3, Ta2O5, TiO2, VXOY, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, etc.
氮化物：AlN, GaN, TaNX, TiAlN, TiNX, etc.
碳化物：TaC, TiC, etc.
金屬：Ir, Pd, Pt, Ru, etc.
硫化物：ZnS, SrS, etc.
氟化物：CaF2, LaF3, MgF2, SrF2, etc.
生物材料：Ca10(PO4)6(OH)2(hydroxyapatite)
聚合物：PMDA–DAH, PMDA–ODA, etc.
摻雜納米涂層和復合結構：ALD 可以使用大量不同的材料組合。
ALD的應用
邏輯器件；手機芯片、服務器芯片、基帶芯片
模擬器件：射頻、指紋識別、電源管理
存儲器：DRAM、NAND Flash、Nor Flash
微處理器：CPU、GPU、MCU
光電器件：光器件、受光器件、光復合器件
傳感器：MEMS、物理化學傳感器、生物傳感器
分立器件：二極管、三極管、MOSFET
EPI技術簡介
外延工藝在英文中通常被稱為"Epitaxy"。這個詞源自希臘語的"epi"（意為"上面"）和"taxis"（意為"排列")。顧名思義，即在某物體的上面整齊排列。外延工藝就是在單晶襯底上沉積一層薄的單晶層。這層新沉積的單晶層被稱作外延層。外延工藝主要有兩種類型：同質外延和異質外延。同質外延是指在相同類型的基片上生長出相同的材料，這種外延生長的外延層和基片有著完全相同的晶格結構。異質外延則是在一種材料的基片上生長出另一種材料，這種情況下，外延生長的晶體層和基片的晶格結構可能會有所不同。
外延生長技術的常見類型
分子束外延(MBE)
利用超高真空中的分子束流，在單晶襯底上生長單晶薄膜的技術。通過精確控制分子束流速和束流密度，可以實現外延生長單晶薄膜。
金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)
利用金屬有機化合物和氣相反應劑在高溫下進行化學反應，生成所需的薄膜材料。該技術廣泛應用于制備化合物半導體材料和器件。
氣相外延(VPE)
利用氣態(tài)反應劑在高溫下進行化學反應，生成所需的薄膜材料。該技術可以制備大面積、高質量的單晶薄膜，廣泛應用于制備化合物半導體材料和器件。
原子層外延(ALE)
利用原子層沉積技術，在單晶襯底上逐層沉積所需的薄膜材料。該技術可以制備大面積、高質量的單晶薄膜，廣泛應用于制備化合物半導體材料和器件。
EPI的應用
CMOS 中外延襯底及功能層中的SiGe、Ge；
DRAM中選擇性外延；
功率器件中的Si、GaN、SiC;
接插器件MEMS中的以Si為主的各種功能層；
硅光器件中的波導層如Si、Ge；
封裝中的各種以Si為主體的應用如高硅摻雜導電介質；
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