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Advanced Cluster T3/T9 PE/TH ALD
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Advanced Cluster T3/T9 PE/TH ALD

Advanced ClusterM3/M9 PE/TH ALD系列是我司的團簇式 ALD 設(shè)備。該系列搭載獨立控制的真空傳輸、標(biāo)準(zhǔn) ALD 反應(yīng)腔、進/取樣腔和冷卻腔可實現(xiàn)多功能材料和器件制備;同時通過熱法和等離子體增強腔體的相互配合可以實現(xiàn)真空環(huán)境下完整器件的前處理、制備和后處理工藝。該系列適用于 28 / 14 nm 制程的 IC 邏輯芯片,3D NAND 及特殊記憶體。
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產(chǎn)品描述

技術(shù)指標(biāo)

●    晶圓尺寸:8/12英寸,可定制

●    工藝類型:PE、Thermal

●    裝片能力:1片/腔,最大可定制10腔

●    工藝溫度:RT~500°C,可定制

●    前驅(qū)源管路:單腔最大6路獨立管路,可定制

●    適用工藝: AlO、HfO、AIN、TiIN、SiN、Ru、Co等氧化物、氮化物及金屬

●    應(yīng)用領(lǐng)域:先進邏輯、存儲等晶圓制造領(lǐng)域

未找到相應(yīng)參數(shù)組,請于后臺屬性模板中添加

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