Elegant II-Y系列是原磊納米的第二代研發(fā)型ALD/ALE設(shè)備，擁有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，符合CE標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)高校、科研院所和小批量生產(chǎn)客戶。該系列采用雙腔設(shè)計(jì)，從最大程度上保證了沉積的穩(wěn)定性和源利用率；同時(shí)集成我司自主研發(fā)的傳輸系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)一鍵操作，減少人工干預(yù)，降低污染的可能性。該系列還預(yù)留了數(shù)個(gè)升級(jí)端口，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)等離子體增強(qiáng)和臭氧工藝，特別適合泛半導(dǎo)體、化合物、特殊記憶體、MEMS和光學(xué)器件上的薄膜沉積。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，我司利用ALD技術(shù)開發(fā)出獨(dú)特的處理工藝-即ISSET技術(shù)，能夠大幅提升功率器件的電學(xué)性能。